Métrologie optique pour semi-conducteurs composés III-V
Systèmes IVS pour mesures optiques des dimensions critiques (CD)&des alignements de couches (Overlay)
La variété des semi-conducteurs composés III-V a favorisé le besoin de contrôler et de suivre quotidiennement la qualité du matériau, l’épaisseur de dépôt et la taille du motif sur des substrats complexes comme le GaN, GaAs, LiNb03, InP, Saphire et SiC. Aujourd’hui, ces matériaux sont largement impliqués dans la réduction de la consommation électrique et sont considérablement plus utilisés même dans les sites de production de semi-conducteurs standards.
Plusieurs usines utilisent majoritairement des matériaux III-V plutôt que des semi-conducteurs standards pour améliorer la consommation électrique ou pour accélérer les échanges au travers du dispositif de télécommunication. C’est pourquoi, ces matériaux affectent le rendement final du composant et les mesures que ce soit dans des cellules spécifiques ou à l’intérieur du dispositif, sont essentielles au calcul du retour sur investissement.
 
La marque Inspectrology se concentre en permanence à fournir la métrologie la plus flexible et la plus précise pour un grand nombre de processus clefs et ainsi laisser le client se concentrer sur les performances de ses dispositifs.